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检索条件:
"关键词=PECVD"
16 条 记 录,以下是 1-10
管式pecvd镀膜均匀性的研究获取全文在线阅读
1
出  处:《山西能源学院学报》 2019年第4期100-102,共3页
作  者:杨飞飞 张雁东 崔龙辉
摘  要:本文主要研究管式pecvd后期使用中的镀膜均匀性问题,通过对镀膜沉积的工艺条件、石墨舟饱和工艺参数的分析研究,找出最优的沉积条件与参数,经过改善后,电池片镀膜整体质量有很大提升,片内与片间镀膜颜色的一致性得到保障。
关 键 词:pecvd 电池片 镀膜 石墨舟 
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半导体淀积工艺及其设备技术研究获取全文在线阅读
2
出  处:《设备管理与维修》 2019年第10期117-118,共2页
作  者:蔡颖岚 刘峰 杜学寨 殷玮 杜妍
摘  要:薄膜工艺是半导体工艺重要组成部分,较广泛的采用物理气相沉积和化学气相沉积方法。通常把pecvd才直接称为淀积工艺,其工艺受多方面因素影响,通过工艺和设备技术的研究,提高工艺可靠性,减少设备故障。
关 键 词:薄膜工艺 物理气相沉积 化学气相沉积 pecvd 淀积系统 
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石墨舟对二次镀膜工艺的影响获取全文在线阅读
3
出  处:《山西能源学院学报》 2017年第4期215-216,共2页
作  者:张波 赵彩霞 杨飞飞 刘文超 申开愉 梁玲
基金项目:本文系山西省重点研发计划重点项目“柔性炭电极材料研究”(项目编号:201603D112007)阶段性成果.
摘  要:本文主要研究管式pecvd的二次镀膜工艺优化,通过对石墨舟使用次数与状态的实验对比分析,得出未经镀膜或者镀膜次数较少的石墨舟可以改善二次镀膜不良片的产生的结论;最终通过二次镀膜工艺改进,提升了产线的合格率与产量,保证了产...
关 键 词:管式pecvd 石墨舟 二次镀膜 电池片 
下载次数:0   在线阅读:44
P型氢化非晶硅薄膜制备及光学性能研究获取全文在线阅读
4
出  处:《宁夏师范学院学报》 2016年第6期36-41,共6页
作  者:张喜生
摘  要:采用等离子体化学气相沉积法制备P型非晶硅薄膜,系统研究了沉积工艺对薄膜结构和性能的影响,并着重分析p层掺杂量对电池性能的影响.结果表明:200℃,400 Pa,氢稀释度为40,沉积功率为60W,硼掺杂量为1.5%所得B掺...
关 键 词:非晶硅 pecvd 硼掺杂 太阳能电池 效率 
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多彩太阳电池的制备及性能研究获取全文在线阅读
5
出  处:《南通职业大学学报》 2014年第4期107-109,共3页
作  者:仲蓓鑫 王强
基金项目:国家自然科学青年基金项目(11204145,51205212)
摘  要:研究了不同颜色太阳电池的制备工艺和电学性能。实验表明,随着镀膜压强的增加,减反射层的折射率缓慢增加,当压强超过1800 m Torr时,折射率的增幅变大;随着镀膜时间的增加,太阳电池的开路电压Uoc先增大后减小,当淀积时...
关 键 词:太阳电池 减反射膜 氮化硅膜 pecvd 开路电压 短路电流 
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晶硅太阳电池管式pecvd镀膜常见返工原因及解决措施研究获取全文在线阅读
6
出  处:《科技创新与应用》 2014年第29期73-73,共1页
作  者:王宝磊 孙涛 吕歌翔
摘  要:随着近几年行业发展和市场变化,特别是欧洲“双反”,导致市场对晶硅太阳电池性能和外观要求越来越高,而pecvd镀膜是影响晶硅太阳电池性能和外观的重要因素之一。文章归类分析了实际生产过程中,导致pecvd镀膜异常造成返工的常...
关 键 词:晶硅电池 管式 pecvd 镀膜 
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三层氮化硅减反射膜的工艺研究获取全文在线阅读
7
出  处:《科技资讯》 2014年第19期4-4,共1页
作  者:孙占峰 王伟
摘  要:本文研究了通过等离子气相沉积(pecvd)在多晶硅片上制作三层氮化硅减反射膜层,设计的折射率逐渐减小的三层氮化硅膜层能更好的钝化多晶硅片的体表面和减小光的反射,提高了多晶太阳电池的开路电压和短路电流,从而有效的提高了多晶...
关 键 词:太阳电池 多晶 pecvd 三层氮化硅 
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等离子体预处理对于太阳能电池性能的影响获取全文在线阅读
8
出  处:《科技创新与应用》 2014年第6期36-37,共2页
作  者:李小玄 孙占峰 王伟 罗飞 孙涛 王宝磊
摘  要:在这个研究中,我们验证等离子体预处理对太阳能电池性能的影响,也就是SiNx:H层的性能。我们发现预处理的时间对于沉积物SiNx:H层影响比较小,较短的pecvd预处理时间,其钝化作用相对于长时间预处理更加有效。同时,预处...
关 键 词:太阳能板 钝化 pecvd SiNx H 
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适用于晶体硅太阳能电池的HF/LF—pecvd SiNx:H薄膜的特性研究获取全文在线阅读
9
出  处:《枣庄学院学报》 2013年第2期71-75,共5页
作  者:李振华
摘  要:介绍了使用HF/LF—pecvd方法制备适用于晶体硅太阳能电池的SiNx:H薄膜.在温度、压强、射频功率和板极间距固定的条件下,通过改变气体流量,制备不同特性的薄膜,并测量薄膜的厚度均匀性、薄膜的折射率和基底的少数载流子...
关 键 词:晶体硅太阳能电池 HF LF—pecvd 厚度均匀性 折射率 少数载流子寿命 
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气体流量对碳纳米管制备的影响获取全文在线阅读
10
出  处:《渭南师范学院学报:综合版》 2012年第6期37-39,共3页
作  者:席彩萍
摘  要:采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜.利用扫描电镜和拉曼光谱仪对其进行表征.结果表明:气体流量大小对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳...
关 键 词:碳纳米管 气体流量 pecvd 
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